Toshiba e SanDisk raggiungono un nuovo traguardo per quanto riguarda la produzione di memoria NAND Flash 3D: si tratta di chip di memoria TLC a 48 strati con una densità di 256 gigabit.
L'annuncio è stato dato recentemente dalle due società, le quali hanno fatto sapere di aver sviluppato i primi campioni di memoria NAND Flash 3D TLC con una densità di 256 gigabit, pari a 32 gigabyte.
Esattamente come avvenne per la versione 3D MLC da 128 gigabit, anche in questa circostanza il chip è strutturato da 48 strati di celle impilati l'uno sull'altro. I due colossi hanno nominato le loro soluzioni BiCS FLASH e affermano che si tratta di chip non solo più capienti rispetto alle proposte MLC, ma anche in grado di garantire velocità di scrittura ancora maggiori delle attuali e un'affidabilità in scrittura / cancellazione notevolmente supuriore: cosi dichiarano le due società.
NAND 3D TLC Capienza 256 Gigabit
"Il nuovo chip a 256 gigabit è indicato per diverse applicazioni inclusi gli SSD consumer, gli smartphone, i tablet e le schede di memoria, nonché gli SSD per i datacenter"
Ad oggi Toshiba e SanDisk stanno producendo in volumi chip BiCS FLASH nella Fab2 del sito produttivo "Yokkaichi Operations".
Questo impianto è ancora in fase di sviluppo e la sua costruzione sarà completata nella prima metà del 2016, raggiungendo così la piena capacità produttiva.
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